三星未来三年将投资 70 亿美元 扩大中国 NAND 芯片产能
三星电子在周一表示，预计将在未来三年投资 70 亿美元，扩大中国西安工厂的 NAND 闪存芯片产能。三星在一份监管文件中称，在这 70 亿美元预期投资中，已有 23 亿美元在周一获得了管理委员会的批准。三星表示，这笔投资将由位于西安的子公司三星 (中国) 半导体有限公司实施。三星称这笔投资旨在满足中长期日益增长的 NAND 闪存芯片需求。
今年 7 月初，当三星宣布在韩国投资 186 亿美元时，该公司表示将在西安的 NAND 闪存芯片工厂增加一条产品线，但没有指明投资金额。三星发言人拒绝披露已批准或计划中的投资将会增加多少芯片产能。市场研究公司 IHS 的最新数据显示，今年第二季度，三星占据了全球 NAND 闪存芯片营收的 38.3%。
